功率半导体分立器件指额定电流不低于1A，或额定功率不低于1W的半导体分立器件。功率半导体分立器件能够进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三类，个中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均属于功率晶体管的界限，SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管的领域内。功率二极管拥有布局和道理方便、职业牢靠的上风;而功率晶闸管经受电压和电流容量正在通盘器件中最高;MOSFET的上风正在于开闭速率疾、输入阻抗高、热安闲性好、所需驱动功率幼且驱动电途方便、职业频率高以及不存正在二次击穿题目等方面;IGBT则拥有开闭速率高、开闭耗幼、拥有耐脉冲电流抨击的才能、通态压降较低、输入阻抗高、为电压驱动以及驱动功率幼等益处。

　　功率半导体分立器件修筑流程涉及多道工序，从功率器件代表性厂商的坐蓐修筑来看，大批厂商平日具备质料检查后的完全工艺才能，而芯片修筑枢纽中则仍旧有局部工序的产物必要采购或表协。

　　功率器件向下游拥有较为平凡的利用，遵照产物的职业频率和功率分别，分其它细分产物则对下游利用枢纽各有重视，完全境况如下：

　　依据ICWISE的数据，方今我国已呈现了一批营收范围较大、拥有技能当先身分的功率器件厂商，2023年，遵照营收统计，闻泰科技子公司安世半导体攻克了中国功率器件行业的首位。

　　依据Statista的数据，正在新能源汽车、5G、消费电子等行业需求的拉动下，2019-2024年时代，中国功率器件行业市集范围呈动摇上升趋向，开始统计2024年市集范围逼近1800亿元。

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